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2N7000_D74Z

更新时间： 2024-01-14 04:53:26

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	87K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 3LD, TO-92, MOLDED, 0.200 IN LINE SPACING LD FORM (J61Z OPTION), 2000/AMMO

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技术参数
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2N7000_D74Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	11 weeks	风险等级：	0.52
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7000_D74Z 数据手册

Electrical Characteristics T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Conditions

Type

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

All

BV_DSS

I_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage V_GS= 0 V, I_D= 10 µA

Zero Gate Voltage Drain Current V_DS= 48 V, V_GS= 0 V

2N7000

µA

T_J=125°C

2N7002

NDS7002A

V_DS= 60 V, V_GS= 0 V

0.5

100

2N7000

I_GSSF

Gate - Body Leakage, Forward

Gate - Body Leakage, Reverse

V_GS= 15 V, V_DS= 0 V

V_GS= 20 V, V_DS= 0 V

2N7002

NDS7002A

2N7000

I_GSSR

V_GS= -15 V, V_DS= 0 V

V_GS= -20 V, V_DS= 0 V

-10

2N7002

NDS7002A

-100

ON CHARACTERISTICS (Note 1)

2N7000

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

0.8

2.1

2N7002

NDS7002A

2.5

2N7000

R_DS(ON)

Static Drain-Source On-Resistance V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

1.2

1.9

1.8

1.2

1.7

2.4

1.2

T_J=125°C

V_GS= 4.5 V, I_D= 75 mA

V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

5.3

7.5

13.5

7.5

13.5

2N7002

T_J=100°C

T_J=100C

T_J=125°C

V_GS= 5.0 V, I_D= 50 mA

V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

V_GS= 5.0 V, I_D= 50 mA

NDS7002A

3.5

1.7

2.8

0.6

0.14

0.6

0.09

0.6

0.09

2N7000

2N7002

V_DS(ON)

Drain-Source On-Voltage

V_GS= 10 V, I_D= 500 mA

V_GS= 4.5 V, I_D= 75 mA

V_GS= 10 V, I_D= 500mA

V_GS= 5.0 V, I_D= 50 mA

V_GS= 10 V, I_D= 500mA

V_GS= 5.0 V, I_D= 50 mA

2.5

0.4

3.75

1.5

NDS7002A

0.15

2N7000.SAM Rev. A1

123 4 5 6 7

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与2N7000_D74Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7000A	KEC	FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7000-A	DIODES	200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92	获取价格
2N7000AMO	NXP	TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, SPT, TO-92 V	获取价格
2N7000-AP	MCC	Small Signal Field-Effect Transistor,	获取价格
2N7000-AP-HF	MCC	Small Signal Field-Effect Transistor,	获取价格
2N7000B	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格