Datasheet > 2N7000-GP005

2N7000-GP005

更新时间： 2024-01-07 08:26:14

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	666K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7000-GP005 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7000-GP005 数据手册

2N7000

Thermal Characteristics

I_D

Power Dissipation

†

Package

I_DR

I_DRM

(continuous)^†

(pulsed)

@T_C= 25^OC

TO-92

200mA

500mA

1.0W

200mA

500mA

Notes:

†

I_D(continuous) is limited by max rated T_j.

Electrical Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise speciﬁed)

Sym

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

Parameter

Min

0.8

Typ

Max

Units Conditions

Drain-to-Source breakdown voltage

Gate threshold voltage

Gate body leakage current

V_GS= 0V, I_D= 10µA

V_GS= V_DS, I_D= 1.0mA

3.0

µA

V_GS= ±15V, V_DS= 0V

V_GS= 0V, V_DS= 48V

1.0

I_DSS

Zero Gate voltage drain current

On-state drain current

V_GS= 0V, V_DS= 48V,

T_A= 125^OC

1.0

I_D(ON)

5.3

5.0

V_GS= 4.5V, V_DS= 10V

V_GS= 4.5V, I_D= 75mA

V_GS= 10V, I_D= 500mA

Static Drain-to-Source

on-state resistance

R_DS(ON)

G_FS

C_ISS

C_OSS

C_RSS

t_(ON)

Forward transconductance

Input capacitance

100

mmho V_DS= 10V, I_D= 200mA

V_GS= 0V, V_DS= 25V,

f = 1.0MHz

Common Source output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on time

V_DD= 15V, I_D= 500mA,

R_GEN= 25Ω

t_(OFF)

V_SD

Turn-off time

Diode forward voltage drop

0.85

V_GS= 0V, I_SD= 200mA

Notes:

1. All D.C. parameters 100% tested at 25^OC unless otherwise stated. (Pulse test: 300µs pulse, 2% duty cycle.)

2. All A.C. parameters sample tested.

Switching Waveforms and Test Circuit

10V

VDD

90%

INPUT

Pulse

R_L

10%

Generator

OUTPUT

t_(ON)

t_d(ON)

t_(OFF)

t_d(OFF)

R_GEN

t_f

t_r

VDD

OUTPUT

INPUT

D.U.T.

10%

90%

Doc.# DSFP-2N7000

C0628213

Supertex inc.

www.supertex.com

123 4 5

下载PDF

与2N7000-GP005相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7000-GP013	MICROCHIP	SMALL SIGNAL, FET	获取价格
2N7000-GP013	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7000-GPO14	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7000G-T92-B	UTC	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
2N7000G-T92-K	UTC	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
2N7000G-T92-R	UTC	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格