2N7000

更新时间： 2024-02-03 02:37:43

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
12页	80K
描述
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

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2N7000 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

N-channel enhancement mode vertical

D-MOS transistor

2N7000

= 50 V

handbook, halfpage

INPUT

90 %

handbook, halfpage

10 %

90 %

10 V

0 V

OUTPUT

50 Ω

10 %

MSA631

off

MBB692

Fig.2 Switching time test circuit.

Fig.3 Input and output waveforms.

MDA690

MDA691

1.6

handbook,

handbook, halfpage

tot

(W)

(A)

0.8

1.2

= 10 V

0.6

0.4

6 V

5 V

0.8

0.4

0.2

4 V

3 V

100

150

200

(°C)

(V)

amb

Fig.4 Power derating curve.

Fig.5 Typical output characteristics; T_j= 25 °C.

April 1995

1 2 3 456 7 8...12

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