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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 250 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 40 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2 V |
| JEDEC-95代码： | TO-208AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 25 A |
| 断态重复峰值电压： | 300 V | 重复峰值反向电压： | 300 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N687APBFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N687ATIN/LEAD | CENTRAL | Silicon Controlled Rectifier, |
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| 2N687E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 300V V(DRM) |
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| 2N687PBF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N688 | NJSEMI | DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER |
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| 2N688 | CENTRAL | SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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