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2N687E3

更新时间: 2024-02-15 23:56:48
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 253K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 300V V(DRM)

2N687E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.65最大直流栅极触发电流:80 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:50 mA
通态非重复峰值电流:150 A最大通态电流:16000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
断态重复峰值电压:300 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N687E3 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N687PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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