5秒后页面跳转
2N6661_10 PDF预览

2N6661_10

更新时间: 2022-09-16 15:37:59
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB /
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

2N6661_10 数据手册

 浏览型号2N6661_10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6661_10的Datasheet PDF文件第2页 
N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE POWER MOSFET  
2N6661  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
8.51 (0.34)  
9.40 (0.37)  
7.75 (0.305)  
8.51 (0.335)  
6.10 (0.240)  
6.60 (0.260)  
0.89  
(0.035)  
max.  
12.70  
(0.500)  
min.  
0.41 (0.016)  
0.53 (0.021)  
dia.  
5.08 (0.200)  
typ.  
2.54  
(0.100)  
2
1
3
0.74 (0.029)  
1.14 (0.045)  
0.71 (0.028)  
0.86 (0.034)  
45°  
TO39 PACKAGE (TO-205AD)  
Pin 1 - Source  
Pin 2 - Gate  
Pin 3 / Case - Drain  
Semelab Limited  
Telephone +44 (0) 1455 556565  
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB  
Fax +44 (0) 1455 552612  
Document Number 3092  
Issue 5  
Page 3 of 3  
Email: sales@semelab-tt.com  
Website: http://www.semelab-tt.com  

与2N6661_10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6661_11 VISHAY N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

获取价格

2N6661-2 VISHAY N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

获取价格

2N6661B-2 VISHAY Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

获取价格

2N6661CSM4 SEME-LAB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

获取价格

2N6661DCSM SEME-LAB DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE

获取价格

2N6661JANTX VISHAY N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

获取价格