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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 21 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N65L-TF3-T | UTC |
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2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65L-TF3T-T | UTC |
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暂无描述 |
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| 2N65L-TM3-T | UTC |
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2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65L-TN3-R | UTC |
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2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65Q-TA | UTC |
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| 2N65-TC | UTC |
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| 2N65-TC2 | UTC |
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| 2N65Z | UTC |
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2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N65ZG-TF1-T | UTC |
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2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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