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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 0.2 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6477-6255 | RENESAS |
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2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6477-6258 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2N6477-6265 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2N6477-DR6259 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2N6477-DR6260 | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6477-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6477-DR6274 | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6477-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6478 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6478 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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