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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6427
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2N6427

更新时间： 2024-11-03 22:35:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管PC
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
Darlington Transistors(NPN Silicon)

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2N6427 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-226, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.21Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：582150
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：TO127P254X635-3
Samacsys Released Date：2017-01-11 16:35:06Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：14000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

2N6427 数据手册

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ON Semiconductort  
2N6426*  
2N6427  
Darlington Transistors  
NPN Silicon  
*ON Semiconductor Preferred Device  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
Vdc  
12  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
500  
mAdc  
1
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
qJA  
COLLECTOR 3  
83.3  
qJC  
BASE  
2
EMITTER 1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, V = 0)  
V
V
40  
40  
12  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 25 Vdc, I = 0)  
I
1.0  
50  
50  
mAdc  
nAdc  
nAdc  
CES  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
B
I
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
February, 2001 – Rev.1  
2N6426/D  
12345678

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2N6427 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6427RLRA ONSEMI

完全替代

 NPN 双极达林顿晶体管
2N6427RLRAG ONSEMI

类似代替

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2N6427G ONSEMI

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 		500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6427/D10Z-18 TI

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 		40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N6427/D10Z-J14Z TI

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 		40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N6427/D11Z TI

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 		500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6427/D11Z-18 TI

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 		40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
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2N6427/D26Z-J05Z TI

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 		1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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