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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6426TRC | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N6426TRD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N6426TRE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N6426TRH | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N6426ZL1 | MOTOROLA |
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500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6427 | TI |
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1200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N6427 | NXP |
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NPN Darlington transistor |
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| 2N6427 | SAMSUNG |
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NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| 2N6427 | FAIRCHILD |
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NPN Darlington Transistor |
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| 2N6427 | ONSEMI |
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Darlington Transistors(NPN Silicon) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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