2N6399-N

更新时间： 2024-11-27 13:04:07

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摩托罗拉 - MOTOROLA		触发装置可控硅整流器局域网
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6页	115K
描述
12A, 800V, SCR, TO-220AB

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2N6399-N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	标称电路换相断开时间：	15 µs
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	30 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	40 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	12 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N6399-N 数据手册

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by 2N6394/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Reverse Blocking Triode Thyristors

Motorola preferred devices

. . . designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls,

heating controls and power supplies.

SCRs

•

Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater Parameter

Uniformity and Stability

Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High

Heat Dissipation and Durability

12 AMPERES RMS

50 thru 800 VOLTS

Blocking Voltage to 800 Volts

CASE 221A-07

(TO-220AB)

STYLE 3

*MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

, V

Value

Unit

(1)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage

Volts

DRM RRM

(Gate Open, T = –40 to 125°C)

2N6394

2N6395

2N6397

2N6398

2N6399

100

400

600

800

RMS On–State Current (T = 90°C) (All Conduction Angles)

Amps

T(RMS)

Peak Non-Repetitive Surge Current

100

TSM

(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz, T = 125°C)

Circuit Fusing (t = 8.3 ms)

Forward Peak Power

I t

0.5

A s

Watts

Watt

Amps

°C

Forward Average Gate Power

Forward Peak Gate Current

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

G(AV)

–40 to +125

–40 to +150

°C

stg

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

*Indicates JEDEC Registered Data.

°C/W

θJC

1. V

and V

for alltypes canbe appliedon a continuous basis. Ratings apply for zeroor negativegate voltage;however, positivegate

RRM

DRM

voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current

source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1999

12 3 4 5 6

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与2N6399-N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6399-S	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
2N6399TG	ONSEMI	获取价格	暂无描述
2N6399TG	LITTELFUSE	获取价格	该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源。功能与特色:
2N6399-U	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB
2N6399-U2	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220, 2 PIN
2N6399-UA	MOTOROLA	获取价格	12A, 800V, SCR, TO-220AB
2N6399-WC	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
2N6400	ONSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
2N6400	NJSEMI	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N6400	DIGITRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 50; Max TMS Bridge Inpu

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