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2N6357

更新时间： 2022-09-16 15:20:08

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6357 数据手册

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Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6357

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_{BE sat}

V_BE

PARAMETER

Collector-emitter breakdwon voltage

Collector-emitter saturation voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V

I_C=0.2A ;I_B=0

60

I_C=10A ;I_B=40mA

I_C=20A ;I_B=1A

I_C=20A ;I_B=1A

2.0

4.0

V

V

4.0

V

I_C=10A ; V_CE=4V

V_CE=60V;I_B=0

2.8

V

I_CEO

1.0

mA

mA

mA

I_CBO

Collector cut-off current

V_CB=80V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

0.5

I_EBO

Emitter cut-off current

5.0

h_FE-1

DC current gain

I_C=4A ; V_CE=5V

I_C=20A ; V_CE=5V

500

100

5000

h_FE-2

DC current gain

2

123

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