2N6349G

更新时间： 2024-02-23 04:39:58

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		栅极触发装置三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
8页	91K
描述
800V, 8A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6349G 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	40 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

2N6349G 数据手册

2N6344, 2N6349

100

GATE OPEN

MAIN TERMINAL #1

POSITIVE

7.0

5.0

MAIN TERMINAL #2

POSITIVE

T = 100°C

25°C

3.0

2.0

7.0

5.0

–60 –40 –20

100 120 140

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Figure 6. Typical Holding Current

3.0

2.0

100

1.0

0.7

0.5

CYCLE

0.3

0.2

T = 100°C

f = 60 Hz

Surge is preceded and followed by rated current

0.1

0.4

0.8 1.2

1.6

2.0

2.4 2.8

3.2 3.6 4.0 4.4

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

v , INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (VOLTS)

NUMBER OF CYCLES

Figure 7. Maximum Non–Repetitive

Surge Current

Figure 5. On–State Characteristics

1.0

0.5

0.2

0.1

θJC(t)

= r(t) • R

θJC

0.05

0.02

0.01

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

100

200

500

1.0 k

2.0 k

5.0 k 10 k

t,TIME (ms)

Figure 8. Typical Thermal Response

http://onsemi.com

1 2 3 456 7 8

下载PDF

与2N6349G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N634A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9	获取价格
2N635	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9	获取价格
2N6350	MICROSEMI	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N6350	NJSEMI	NPN POWER DARLINGTON	获取价格
2N6351	NJSEMI	NPN POWER DARLINGTON	获取价格
2N6351	MICROSEMI	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格