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2N635

更新时间： 2024-02-21 21:09:55

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	343K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9

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2N635 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	80	最高工作温度：	85 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2N635 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N6350	NJSEMI	NPN POWER DARLINGTON	获取价格
2N6351	NJSEMI	NPN POWER DARLINGTON	获取价格
2N6351	MICROSEMI	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
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2N6351E3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor	获取价格

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