5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 触发装置 > TRIAC> 2N6349G
2N6349G PDF预览

2N6349G

更新时间： 2024-01-04 14:53:33
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅极触发装置三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
8页 91K
描述
800V, 8A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN

阅读下载

获取价格

2N6349G 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.72外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：50 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：40 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

2N6349G 数据手册

 浏览型号2N6349G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6349G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6349G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N6349G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N6349G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N6349G的Datasheet PDF文件第7页 
2N6344, 2N6349  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
*Thermal Resistance, Junction to Case  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds  
Symbol  
Max  
2.2  
Unit  
°C/W  
°C  
R
θJC  
T
L
260  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted; Electricals apply in both directions)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
*Peak Repetitive Blocking Current  
(V = Rated V , V ; Gate Open)  
I
,
DRM  
T = 25°C  
T = 100°C  
J
I
RRM  
—
—
—
—
10  
2.0  
µA  
mA  
D
DRM RRM  
J
ON CHARACTERISTICS  
*Peak On–State Voltage  
V
—
1.3  
1.55  
Volts  
mA  
TM  
(I  
TM  
=
11 A Peak; Pulse Width = 1 to 2 ms, Duty Cycle 2%)  
Gate Trigger Current (Continuous dc)  
I
GT  
(V = 12 Vdc, R = 100 Ohms)  
D
L
MT2(+), G(+)  
—
—
—
—
—
—
12  
12  
20  
35  
—
—
50  
75  
50  
75  
100  
125  
MT2(+), G(–)  
MT2(–), G(–)  
MT2(–), G(+)  
*MT2(+), G(+); MT2(–), G(–) T = –40°C  
*MT2(+), G(–); MT2(–), G(+) T = –40°C  
C
C
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)  
V
GT  
Volts  
(V = 12 Vdc, R = 100 Ohms)  
D
L
MT2(+), G(+)  
—
—
—
—
—
—
0.9  
0.9  
1.1  
1.4  
—
2.0  
2.5  
2.0  
2.5  
2.5  
3.0  
MT2(+), G(–)  
MT2(–), G(–)  
MT2(–), G(+)  
*MT2(+), G(+); MT2(–), G(–) T = –40°C  
C
*MT2(+), G(–); MT2(–), G(+) T = –40°C  
—
C
Gate Non–Trigger Voltage (Continuous dc)  
V
Volts  
mA  
µs  
GD  
(V = Rated V  
*MT2(+), G(+); MT2(–), G(–); MT2(+), G(–); MT2(–), G(–)  
, R = 10 k Ohms, T = 100°C)  
L J  
D
DRM  
0.2  
—
—
*Holding Current  
(V = 12 Vdc, Gate Open)  
D
(Initiating Current = 200 mA)  
I
H
T
= 25°C  
—
—
6.0  
—
40  
75  
C
C
*T = –40°C  
* Turn-On Time  
t
—
—
1.5  
5.0  
2.0  
—
gt  
(V = Rated V  
Rise Time = 0.1 µs, Pulse Width = 2 µs)  
, I  
= 11 A, I  
= 120 mA,  
GT  
D
DRM TM  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Critical Rate of Rise of Commutation Voltage  
dv/dt(c)  
V/µs  
(V = Rated V  
Gate Unenergized, T = 80°C)  
, I = 11 A, Commutating di/dt = 4.0 A/ms,  
D
DRM TM  
C
*Indicates JEDEC Registered Data.  
http://onsemi.com  
2
12345678

下载PDF

与2N6349G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N634A ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9

获取价格
2N635 ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9

获取价格
2N6350 MICROSEMI NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

获取价格
2N6350 NJSEMI NPN POWER DARLINGTON

获取价格
2N6351 NJSEMI NPN POWER DARLINGTON

获取价格
2N6351 MICROSEMI NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

获取价格

与2N6349G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证