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2N6123

更新时间： 2024-02-18 20:29:11

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	94K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6123 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	7	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz
VCEsat-Max：	1.4 V	Base Number Matches：	1

2N6123 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6121 2N6122 2N6123

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to PNP type :

2N6124 ;2N6125 ;2N6126

APPLICATIONS

·For use in power amplifier and

switching circuit applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6121

2N6122

2N6123

2N6121

2N6122

2N6123

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

3.125

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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