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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 13 pF | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 44 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 180 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 115 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N60L-TA3-T | UTC |
类似代替  |
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| AOU2N60 | AOS |
功能相似 |
600V, 2A N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N60L-TMA-T | UTC |
获取价格 |
2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N60L-TMS2-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| 2N60L-TMS4-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| 2N60L-TMS-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2N60L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N60L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N60L-TND-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| 2N60L-X-T2Q-T | UTC |
获取价格 |
2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N60L-X-T60-K | UTC |
获取价格 |
2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N60L-X-TA3-T | UTC |
获取价格 |
2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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