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AOU2N60

更新时间: 2024-11-21 12:51:35
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美国万代 - AOS /
页数 文件大小 规格书
6页 332K
描述
600V, 2A N-Channel MOSFET

AOU2N60 数据手册

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AOD2N60/AOU2N60  
600V, 2A N-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
TheꢀꢀAOD2N60ꢀ&ꢀAOU2N60ꢀhaveꢀbeenꢀfabricatedꢀusing  
anꢀadvancedꢀhighꢀvoltageꢀMOSFETꢀprocessꢀthatꢀis  
designedꢀtoꢀdeliverꢀhighꢀlevelsꢀofꢀperformanceꢀand  
robustnessꢀinꢀpopularꢀACꢁDCꢀapplications.  
ByꢀprovidingꢀlowꢀRDS(on),ꢀCissꢀandꢀCrssꢀalongꢀwith  
guaranteedꢀavalancheꢀcapabilityꢀtheseꢀpartsꢀcanꢀbe  
adoptedꢀquicklyꢀintoꢀnewꢀandꢀexistingꢀofflineꢀpowerꢀsupply  
designs.  
VDS  
700V@150  
2A  
ꢀꢀꢀIDꢀꢀ(atꢀVGS=10V)  
ꢀꢀꢀRDS(ON)ꢀ(atꢀVGS=10V)  
<ꢀ4.4  
100%ꢀUISꢀTested!  
100%ꢀꢀRgꢀTested!  
TO252  
DPAK  
TO251  
D
Top View  
Top View  
Bottom View  
Bottom View  
D
D
G
G
S
S
G
S
S
D
D
G
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
Units  
DrainꢁSourceꢀVoltage  
GateꢁSourceꢀVoltage  
600  
±30  
2
V
V
VGS  
TC=25°C  
ContinuousꢀDrain  
CurrentB  
ID  
TC=100°C  
1.4  
A
PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀC  
IDM  
8
2
AvalancheꢀCurrentꢀC  
IAR  
A
RepetitiveꢀavalancheꢀenergyC  
EAR  
EAS  
dv/dt  
60  
mJ  
ꢀH  
Singleꢀplusedꢀavalancheꢀenergy  
Peakꢀdiodeꢀrecoveryꢀdv/dt  
TC=25°C  
PowerꢀDissipationꢀB  
120  
mJ  
V/ns  
W
W/ꢀoC  
5
56.8  
0.45  
ꢁ50ꢀtoꢀ150  
PD  
Derateꢀaboveꢀ25oC  
JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRange  
Maximumꢀleadꢀtemperatureꢀforꢀsoldering  
purpose,ꢀ1/8"ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ5ꢀseconds  
TJ,ꢀTSTG  
TL  
°C  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Typical  
Maximum  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientA,G  
45  
55  
0.5  
2.2  
MaximumꢀCaseꢁtoꢁsinkꢀA  
MaximumꢀJunctionꢁtoꢁCaseD,F  
RθCS  
RθJC  
1.8  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀRevꢀ5:ꢀNovꢀ2010ꢀ  
www.aosmd.com  
Pageꢀ1ꢀofꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  

AOU2N60 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AOI2N60 AOS

完全替代

600V, 2A N-Channel MOSFET
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