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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6042AU
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2N6042AU

更新时间： 2024-11-03 13:04:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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2N6042AU 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.72Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N6042AU 数据手册

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ON Semiconductor)  
PNP  
2N6040  
Plastic Medium-Power  
Complementary Silicon  
Transistors  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed  
switching applications.  
2N6042  
*
*
2N6043  
NPN  
2N6045  
• High DC Current Gain –  
h
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
FE  
• Collector–Emitter Sustaining Voltage – @ 100 mAdc –  
= 60 Vdc (Min) – 2N6040, 2N6043  
C
*ON Semiconductor Preferred Device  
V
CEO(sus)  
= 100 Vdc (Min) – 2N6042, 2N6045  
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage –  
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 4.0 Adc – 2N6043,44  
DARLINGTON  
8 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–100 VOLTS  
75 WATTS  
V
CE(sat)  
C
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc – 2N6042, 2N6045  
C
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
MAXIMUM RATINGS (1)  
2N6040  
2N6043  
2N6042  
2N6045  
Rating  
Symbol  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
60  
60  
100  
100  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CEO  
V
CB  
EB  
V
5.0  
4
Collector Current – Continuous  
Peak  
I
C
8.0  
16  
Base Current  
I
B
120  
mAdc  
STYLE 1:  
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
75  
0.60  
Watts  
PIN 1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
C
D
Derate above 25_C  
W/_C  
1
4. COLLECTOR  
Operating and Storage Junction,  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
_C  
2
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 221A–09  
TO–220AB  
Symbol  
Max  
1.67  
57  
Unit  
_C/W  
_C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
θ
JA  
T
A
T
C
4.0 80  
3.0 60  
T
C
2.0 40  
1.0 20  
T
A
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (°C)  
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 4  
2N6040/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6042BA ONSEMI

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 		TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
2N6042BD ONSEMI

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 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
2N6042BG ONSEMI

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 		TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
2N6042BU ONSEMI

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 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
2N6042C MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6042G ONSEMI

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 		Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
2N6042N MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6042S MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
2N6042T MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast

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