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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5950APMLEADFREE | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5950APP | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5950APPLEADFREE | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5950LEADFREE | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2N5950R | ALLEGRO | Transistor |
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| 2N5950TRB | CENTRAL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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