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2N5882/D

更新时间： 2024-01-17 16:21:50

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其他 - ETC		晶体晶体管
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8页	95K
描述
Silicon NPN High Power Transistor

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2N5882/D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	15 A	基于收集器的最大容量：	400 pF
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	最大降落时间（tf）：	800 ns
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	最大上升时间（tr）：	700 ns
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
VCEsat-Max：	4 V	Base Number Matches：	1

2N5882/D 数据手册

2N5882

PACKAGE DIMENSIONS

CASE 1–07

TO–204AA (TO–3)

ISSUE Z

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH

REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.

SEATING

PLANE

–T–

D 2 PL

INCHES

DIM MIN MAX

1.550 REF

MILLIMETERS

0.13 (0.005)

MIN

MAX

39.37 REF

---

0.250

0.038

0.055

1.050

---

6.35

0.97

1.40

26.67

8.51

1.09

1.77

–Y–

0.335

0.043

0.070

0.430 BSC

0.215 BSC

0.440 0.480

0.665 BSC

10.92 BSC

5.46 BSC

11.18

12.19

16.89 BSC

---

0.151

1.187 BSC

0.830

0.165

---

3.84

30.15 BSC

21.08

4.19

–Q–

0.13 (0.005)

0.131

0.188

3.33

4.77

STYLE 1:

PIN 1. BASE

2. EMITTER

CASE: COLLECTOR

http://onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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