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2N5883

更新时间： 2023-12-06 20:08:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
18页 655K
描述
60V,25A,200W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

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2N5883 数据手册

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2N5883 2N5884 PNP  
2N5885 2N5886 NPN  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5883, 2N5885  
series types are complementary silicon epitaxial base  
transistors designed for power amplifier and switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
2N5883  
2N5885  
60  
60  
2N5884  
2N5886  
80  
80  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
CContinuous Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
A
W
°C  
°C/W  
C
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5.0  
25  
50  
7.5  
200  
I
C
I
CM  
I
P
B
D
T , T  
-65 to +200  
0.875  
J
stg  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
1.0  
2.0  
1.0  
10  
1.0  
UNITS  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
V
V
V
V
I
I
V
V
=Rated V  
=½Rated V  
CEO  
CBO  
CEO  
CB  
CE  
CBO  
I
I
I
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=5.0V  
, V =1.5V  
, V =1.5V, T =150°C  
CEO BE  
CEX  
CEX  
EBO  
CEO  
CEO  
CE  
CE  
EB  
CEO BE  
C
BV  
BV  
I =200mA (2N5883, 2N5885)  
60  
80  
C
I =200mA (2N5884, 2N5886)  
C
V
V
V
V
h
h
h
I =15A, I =1.5A  
1.0  
4.0  
2.5  
1.5  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
B
B
I =25A, I =6.25A  
C
I =25A, I =6.25A  
C
V
=4.0V, I =10A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
CE  
CC  
CC  
CC  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=4.0V, I =3.0A  
35  
20  
C
=4.0V, I =10A  
100  
FE  
FE  
T
C
C
=4.0V, I =25A  
4.0  
4.0  
f
=10V, I =1.0A, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
pF  
C
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (2N5883, 2N5885)  
1000  
500  
ob  
ob  
fe  
E
=10V, I =0, f=1.0MHz (2N5884, 2N5886)  
E
h
=4.0V, I =3.0A, f=1.0kHz  
20  
C
t
t
t
=30V, I =10A, I =I =1.0A  
0.7  
1.0  
0.8  
μs  
μs  
μs  
r
s
f
C
B1 B2  
B1 B2  
=30V, I =10A, I =I =1.0A  
C
=30V, I =10A, I =I =1.0A  
B1 B2  
C
R1 (4-December 2012)  
1234567...18

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