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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-66 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-213AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5610E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5611 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5611 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5611 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5611 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed to66 Metal Package. |
|
| 2N5611 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5611 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N5611 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
|
| 2N5611A | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5611A | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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