2N5566

更新时间： 2024-01-31 06:03:03

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	49K
描述
Matched N-Channel JFET Pairs

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2N5566 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-71	JESD-30 代码：	O-MBCY-W6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	-888 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.325 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5566 数据手册

2N5564/5565/5566

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Common-Gate Forward Admittance

Common-Gate Reverse Admittance

100

V_DG= 15 V

I_D= 10 mA

V_DG= 15 V

I_D= 10 mA

T = 25_C

–g

–b

–g

0.1

0.01

0.1

100

200

500

1000

100

200

500

1000

100 k

f – Frequency (MHz)

Common-Gate Output Admittance

Noise Voltage vs. Frequency

100

V_DG= 15 V

I_D= 10 mA

T = 25_C

V_DS= 15 V

I_D= 1 mA

I_D= 10 mA

0.1

100

200

500

1000

100

1 k

10 k

f – Frequency (MHz)

f – Frequency (Hz)

Output Conductance vs. Drain Current

Transconductance vs. Drain Current

1000

100

V_GS(off)= –2 V

V_DS= 15 V

f = 1 kHz

V_GS(off)= –2 V

V_DS= 15 V

f = 1 kHz

= –55_C

25_C

= –55_C

100

25_C

125_C

0.1

1.0

0.1

1.0

I_D– Drain Current (mA)

Document Number: 70254

S-04031—Rev. D, 04-Jun-01

www.vishay.com

8-5

1 2 3 45

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