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2N5551CN

更新时间： 2024-01-14 09:10:26

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韩国光电子 - AUK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	252K
描述
NPN Silicon Transistor

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2N5551CN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551CN 数据手册

2N5551CN

Absolute Maximum Ratings

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

(Ta=25°C)

Unit

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

180

160

Collector current

600

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P_C

400

T_J

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

(Ta=25°C)

Min. Typ. Max. Unit

Symbol

BV_CEO

I_CBO

Test Condition

I_C=1mA, I_B=0

160

V_CB=180V, I_E=0

100

I_EBO

V_EB=6V, I_C=0

DC current gain

h_{FE (1)}

h_{FE (2)}

h_{FE (3)}

V_CE=5V, I_C=1mA

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CE=5V, I_C=50mA

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CE=10V, I_C=10mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

DC current gain

250

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.2

0.5

V_CE(sat)(1)

V_CE(sat)(2)

V_BE(sat)(1)

V_BE(sat)(2)*

V_BE

f_T

0.65

150

0.85

Transition frequency

MHz

Collector output capacitance

C_ob

: Pulse Tester : Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle ≤2.0%

KSD-T0C061-000

123 4

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