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2N5458G

更新时间： 2024-01-16 04:53:15
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 138K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN

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2N5458G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.6
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：25 VFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：3 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N5458G 数据手册

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2N5457, 2N5458  
JFETs - General Purpose  
N−Channel − Depletion  
N−Channel Junction Field Effect Transistors, depletion mode  
(Type A) designed for audio and switching applications.  
http://onsemi.com  
Features  
1 DRAIN  
• N−Channel for Higher Gain  
• Drain and Source Interchangeable  
• High AC Input Impedance  
3
GATE  
• High DC Input Resistance  
• Low Transfer and Input Capacitance  
• Low Cross−Modulation and Intermodulation Distortion  
• Plastic Encapsulated Package  
2 SOURCE  
• Pb−Free Packages are Available*  
MARKING  
DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS  
2N  
545x  
AYWWG  
G
Rating  
Drain−Source Voltage  
Drain−Gate Voltage  
Reverse Gate−Source Voltage  
Gate Current  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
V
DS  
1
V
DG  
25  
Vdc  
1
2
2
3
3
BENT LEAD  
V
GSR  
−25  
10  
Vdc  
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
I
G
mAdc  
TO−92  
CASE 29  
STYLE 5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
310  
2.82  
mW  
mW/°C  
A
2N545x = Device Code  
x = 7 or 8  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
135  
°C  
°C  
J
T
stg  
−65 to +150  
A
= Assembly Location  
Y
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
WW  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
Device  
2N5457  
Package  
Shipping  
TO−92  
1000 Units/Box  
1000 Units/Box  
2N5457G  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N5458  
TO−92  
1000 Units/Box  
1000 Units/Box  
2N5458G  
TO−92  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
February, 2010 − Rev. 6  
2N5457/D  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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