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2N5458

更新时间： 2024-11-29 22:49:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
N-Channel General Purpose Amplifier

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2N5458 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.06
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	3 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5458 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

MMBF5457

MMBF5458

MMBF5459

2N5457

2N5458

2N5459

TO-92

SOT-23

Mark: 6D / 61S / 6L

N-Channel General Purpose Amplifier

This device is a low level audio amplifier and switching transistors,

and can be used for analog switching applications. Sourced from

Process 55.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_DG

Drain-Gate Voltage

Gate-Source Voltage

Forward Gate Current

- 25

V_GS

I_GF

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5457

*MMBF5457

P_D

Total Device Dissipation

625

5.0

350

2.8

mW/ C

Derate above 25 C

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

357

R_θ

C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

ã1997 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4

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2N5458 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5458G	ONSEMI	功能相似	25 V N 沟道 JFET 晶体管
2N5458	CENTRAL	功能相似	Junction FETs Low Frequency/ Low Noise
2N5458	ONSEMI	功能相似	JFETs - General Purpose

与2N5458相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5458/D10Z-J25Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3
2N5458/D10Z-J61Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3
2N5458/D11Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5458/D11Z-5	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3
2N5458/D11Z-J61Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3
2N5458/D26Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5458/D26Z-5	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3
2N5458/D26Z-J14Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3
2N5458/D27Z-J25Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3
2N5458/D27Z-J61Z	TI	获取价格	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC PACKAGE-3

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