2N5401RLRAG

更新时间： 2024-02-19 09:47:05

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
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Amplifier Transistors

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2N5401RLRAG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.64	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2N5401RLRAG 数据手册

2N5401

1.0

0.9

2.5

T = 25°C

T = −55°C to 135°C

2.0

1.5

1.0

0.5

0.8

0.7

0.6

@ I /I = 10

C B

BE(sat)

for V

CE(sat)

−0.5

−1.0

−1.5

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

@ I /I = 10

C B

CE(sat)

for V

BE(sat)

−2.0

−2.5

0.1 0.2

1.0 2.0 3.0 5.0

0.1 0.2

1.0 2.0 3.0 5.0

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

0.3 0.5

20 30 50

100

0.3 0.5

20 30 50 100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 4. “On” Voltages

Figure 5. Temperature Coefficients

100

T = 25°C

+ꢀ8.8 V

−30 V

10.2 V

ibo

100

3.0 k

7.0

5.0

out

0.25 mF

10 ms

INPUT PULSE

obo

5.1 k

100

3.0

2.0

t , t ≤ 10 ns

DUTY CYCLE = 1.0%

1N914

1.0

0.2

Values Shown are for I @ 10 mA

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

0.3

0.5 0.7

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 6. Switching Time Test Circuit

Figure 7. Capacitances

1000

700

2000

I /I = 10

t @ V = 120 V

1000

700

T = 25°C

500

I /I = 10

t @ V = 120 V

f CC

T = 25°C

300

200

500

t @ V = 30 V

r CC

t @ V = 30 V

300

200

100

t @ V = 120 V

s CC

100

t @ V

= 1.0 V

BE(off)

= 120 V

0.2

1.0 2.0 3.0 5.0

0.2

1.0 2.0 3.0 5.0

0.3 0.5

10 20 30 50

100 200

0.3 0.5

20 30 50

100 200

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 8. Turn−On Time

Figure 9. Turn−Off Time

http://onsemi.com

1 2 345 6

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