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2N5401RLRAG

更新时间： 2024-02-14 01:25:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 73K
描述
Amplifier Transistors

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2N5401RLRAG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.64基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2N5401RLRAG 数据手册

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2N5401  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
2N5400  
2N5401  
150  
−
C
B
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
V
Vdc  
Vdc  
2N5400  
2N5401  
160  
5.0  
−
−
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 120 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
EBO  
2N5401  
2N5401  
−
−
50  
50  
CB  
E
(V = 120 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
CB  
E
A
Emitter Cutoff Current  
(V = 3.0 Vdc, I = 0)  
I
−
50  
nAdc  
−
EB  
C
ON CHARACTERISTICS (Note 1)  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 1.0 mAdc, V = 5.0 Vdc)  
50  
60  
50  
−
240  
−
C
CE  
(I = 10 mAdc, V = 5.0 Vdc)  
C
CE  
(I = 50 mAdc, V = 5.0 Vdc)  
C
CE  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
−
−
0.2  
0.5  
C
B
(I = 50 mAdc, I = 5.0 mAdc)  
C
B
Base−Emitter Saturation Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
V
BE(sat)  
−
−
1.0  
1.0  
C
B
(I = 50 mAdc, I = 5.0 mAdc)  
C
B
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current−Gain — Bandwidth Product  
f
MHz  
pF  
−
T
(I = 10 mAdc, V = 10 Vdc, f = 100 MHz)  
100  
−
300  
6.0  
C
CE  
Output Capacitance  
(V = 10 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
obo  
CB  
E
Small−Signal Current Gain  
h
fe  
(I = 1.0 mAdc, V = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
40  
−
200  
8.0  
C
CE  
Noise Figure  
NF  
dB  
(I = 250 mAdc, V = 5.0 Vdc, R = 1.0 kW, f = 1.0 kHz)  
C
CE  
S
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
TO−92  
Shipping  
2N5401  
5000 Unit / Bulk  
2N5401RL1  
2N5401RLRA  
2N5401RLRAG  
TO−92  
TO−92  
2000 Tape & Reel  
2000 Tape & Reel  
2000 Tape & Reel  
TO−92  
(Pb−Free)  
2N5401RLRM  
2N5401ZL1  
TO−92  
TO−92  
2000 Tape & Ammo Box  
2000 Tape & Ammo Box  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifica-  
tions Brochure, BRD8011/D.  
http://onsemi.com  
2
 
123456

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