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2N5401

更新时间： 2025-09-22 18:53:27

品牌	Logo	应用领域
南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
5页	1810K
描述
Pcm(mW) : 625; Ic(mA) : 0.6; BVCBO(V) : 160; BVCEO(V) : 150; BVEBO(V) : 5; Min : 100; Max : 300; VCE (sat) (v) : 0.5; Package Outline : TO-92;

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DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

2N5401 TRANSISTOR (PNP)

TO – 92

FEATURES

1. EMITTER

2. BASE

ꢀ

ꢀ

ꢀ

ꢀ

Switching and Amplification in High Voltage

Applications such as Telephony

Low Current

3. COLLECTOR

High Voltage

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

ꢅ&'*$#ꢋ,ꢉꢌꢍꢎꢉꢀꢎꢏꢐꢉꢀ

ꢈ ꢅ

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Z=Rank of hFE

ꢀ

Z

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1

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

ꢀꢁ

Packing Method

Pack Quantity

1000pcs/Bag

2000pcs/Box

ꢅ&'*$#ꢀ

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MAXIMUM RATINGS (T_a=25 ꢀ unless otherwise noted)

Unit

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-160

-150

-5

V

V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V

A

Collector Current

-0.6

625

P_C

Collector Power Dissipation

mW

ꢀ /W

ꢀ

R_ΚJA

T_J,T_stg

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Operation Junction and Storage Temperature Range

200

-55~+150

1/5

Dongguan Nanjing Electronics Ltd.

www.dgnjdz.com

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5401,116	NXP	获取价格	元器件封装:TO-92-3;
2N5401,412	NXP	获取价格	元器件封装:TO-92-3;
2N5401-18FLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
2N5401-18R	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
2N5401-18RLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
2N5401-A	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2N5401-A-AB3-B	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5401-A-AB3-K	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5401-A-AB3-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5401-A-T92-B	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

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