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2N5401

更新时间： 2024-02-27 20:45:16
品牌 Logo 应用领域
DAYA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 130K
描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

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2N5401 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.64基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2N5401 数据手册

 浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第2页 
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
2N5401 TRANSISTOR (PNP)  
TO-92  
FEATURE  
z
Switching and amplification in high voltage  
Applications such as telephony  
Low current(max. 600mA)  
1.EMITTER  
2.BASE  
z
z
z
High voltage(max.160v)  
3.COLLECTOR  
1 2 3  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
-160  
-150  
-5  
Units  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
-0.6  
A
PC  
0.625  
150  
W
Tj  
℃
℃
Tstg  
Storage Temperature  
-55-150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test  
conditions  
MIN  
-160  
-150  
-5  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC= -100μA, IE=0  
IC= -1mA, IB=0  
V
V
IE= -10μA, IC=0  
VCB= -120 V, IE=0  
VEB= -3V, IC=0  
-50  
-50  
nA  
nA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
hFE(1)  
VCE= -5V, IC=-1 mA  
VCE= -5V, IC= -10 mA  
VCE= -5V, IC=-50 mA  
IC= -50mA, IB= -5 mA  
IC= -50mA, IB= -5 mA  
80  
60  
50  
DC current gain  
hFE(2)  
240  
hFE(3)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
-0.5  
-1  
V
V
VCE=-5V,  
f =30MHz  
IC=-10mA  
Transition frequency  
100  
300  
MHz  
fT  
12

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