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2N5401/D

更新时间： 2024-02-04 23:52:52

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Amplifier Transistors PNP Silicon

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2N5401/D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.64	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2N5401/D 数据手册

ON Semiconductort

Amplifier Transistors

PNP Silicon

2N5401

*ON Semiconductor Preferred Device

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

2N5400 2N5401

Unit

Vdc

120

130

150

160

CEO

Vdc

CBO

EBO

5.0

Vdc

Collector Current — Continuous

600

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

CASE 29–11, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

COLLECTOR

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

qJA

BASE

83.3

qJC

EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

2N5400

2N5401

150

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 mAdc, I = 0)

Vdc

(BR)CBO

2N5400

2N5401

160

5.0

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 mAdc, I = 0)

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

CBO

= 120 Vdc, I = 0)

2N5401

—

= 120 Vdc, I = 0, T = 100°C)

Emitter Cutoff Current

(V = 3.0 Vdc, I = 0)

—

nAdc

EBO

1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2.0%.

Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

June, 2001 – Rev. 0

2N5401/D

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