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2N5401/D

更新时间： 2024-02-10 15:30:11

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描述
Amplifier Transistors PNP Silicon

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2N5401/D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.64	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2N5401/D 数据手册

2N5401

PACKAGE DIMENSIONS

TO–92 (TO–226)

CASE 29–11

ISSUE AL

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R

IS UNCONTROLLED.

4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND

BEYOND DIMENSION K MINIMUM.

INCHES

DIM MIN MAX

MILLIMETERS

SEATING

PLANE

MIN

4.45

4.32

3.18

0.407

1.15

2.42

0.39

12.70

6.35

2.04

---

MAX

5.20

5.33

4.19

0.533

1.39

2.66

0.50

---

0.175

0.170

0.125

0.016

0.045

0.095

0.015

0.500

0.250

0.080

---

0.205

0.210

0.165

0.021

0.055

0.105

0.020

---

X X

---

0.105

0.100

---

2.66

2.54

---

SECTION X–X

0.115

0.135

2.93

3.43

---

STYLE 1:

PIN 1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

http://onsemi.com

1 2 3 456 7 8

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