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2N5401/D

更新时间： 2024-02-07 16:20:05

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8页	71K
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Amplifier Transistors PNP Silicon

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2N5401/D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.64	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2N5401/D 数据手册

2N5401

200

150

= 125°C

25°C

100

-ā55°C

= -1.0 V

= -5.0 V

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 1. DC Current Gain

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

= 1.0 mA

10 mA

30 mA

100 mA

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

I , BASE CURRENT (mA)

Figure 2. Collector Saturation Region

= 30 V

= I

CES

= 125°C

75°C

-1

-2

REVERSE

25°C

FORWARD

-3

0.3 0.2 0.1

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 3. Collector Cut–Off Region

http://onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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