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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5399 | TI |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46, TO-46, 3 PIN |
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| 2N539A | NJSEMI |
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PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTOR |
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| 2N540 | NJSEMI |
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PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTOR |
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| 2N5400 | SECOS |
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PNP Plastic Encapsulated Transistor |
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| 2N5400 | NJSEMI |
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SERIES 2N TRANSISTORS |
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| 2N5400 | MOTOROLA |
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Amplifier Transistor(PNP Silicon) |
|
| 2N5400 | SAMSUNG |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5400 | SEMTECH |
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PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier appli |
|
| 2N5400 | FAIRCHILD |
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PNP General Purpose Amplifier |
|
| 2N5400 | BOCA |
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AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON |
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