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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.33 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5311 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 20A 3-Pin TO-61 |
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| 2N5312 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| 2N5313 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 20A 3-Pin TO-61 |
|
| 2N5314 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin |
|
| 2N5315 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5316 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| 2N5317 | ETC |
获取价格 |
COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
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| 2N5318 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| 2N5319 | ETC |
获取价格 |
COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
|
| 2N5320 | CDIL |
获取价格 |
SILICON POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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