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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5321-BP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| 2N5321NPN | CDIL |
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SILICON POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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| 2N5321PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N5322 | SEME-LAB |
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HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES |
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| 2N5322 | BOCA |
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SWITCHING TRANSISTORS (PNP SILICON) |
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| 2N5322 | FAIRCHILD |
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10 Watt NPN-PNP Silicon Power |
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| 2N5322 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N5322 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT |
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| 2N5322 | ASI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 |
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| 2N5322 | CDIL |
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SILICON POWER SWITCHING TRANSISTORS |
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