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2N5198

更新时间： 2024-02-08 07:50:09

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威世 - VISHAY		/
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6页	60K
描述
Monolithic N-Channel JFET Duals

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2N5198 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
FET 技术：	JUNCTION	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO

2N5198 数据手册

2N5196/5197/5198/5199

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Drain Current and Transconductance

vs. Gate-Source Cutoff Voltage

Gate Leakage Current

100 nA

10 nA

1 nA

I_G@ I_D= 200 mA

2.6

2.2

1.8

I_DSS

= 125_C

I_GSS@ 125_C

50 mA

100 pA

50 mA

200 mA

10 pA

1 pA

I_GSS@ 25_C

= 25_C

I_DSS@ V_DS= 15 V, V_GS= 0 V

@ V_DG= 15 V, V_GS= 0 V

f = 1 kHz

1.4

0.1 pA

–1

–2

–3

–4

–5

V_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

V_DG– Drain-Gate Voltage (V)

Output Characteristics

V_GS(off)= –3 V

V_GS= 0 V

V_GS(off)= –2 V

–0.3 V

–0.6 V

V_GS= 0 V

–0.9 V

–1.2 V

–0.2 V

–0.4 V

–0.6 V

–1.5 V

–0.8 V

–1.0 V

–1.2 V

–1.8 V

–2.1 V

–1.4 V

–2.4 V

V_DS– Drain-Source Voltage (V)

Output Characteristics

2.5

V_GS= 0 V

V_GS(off)= –2 V

V_GS(off)= –3 V

–0.3 V

V_GS= 0 V

–0.2 V

–0.4 V

1.6

1.2

0.8

0.4

2.0

1.5

1.0

0.5

–0.6 V

–0.9 V

–0.6 V

–0.8 V

–1.2 V

–1.5 V

–1.8 V

–1.0 V

–1.2 V

–1.4 V

–2.1 V

–2.4 V

–1.6 V

0.8

0.2

0.4

0.6

0.2

0.4

0.6

0.8

V_DS– Drain-Source Voltage (V)

Document Number: 70252

S-04031—Rev. D, 04-Jun-01

www.vishay.com

8-4

1 2 345 6

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