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2N5191

更新时间： 2024-02-28 10:04:28

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3页	46K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5191 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N5191 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2N5190 2N5191 2N5192

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

2N5190

2N5191

2N5192

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO

I_C=0.1A; I_B=0

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Emitter-base on voltage

2N5190

I_C=1.5A ;I_B=0.15A

I_C=4A ;I_B=1A

0.6

1.4

1.2

I_C=1.5A ; V_CE=2V

V_CE=40V; I_B=0

V_CE=60V; I_B=0

I_CEO

Collector cut-off current

1.0

0.1

2N5191

2N5192

2N5190

2N5191

2N5192

2N5190

2N5191

2N5192

_CE=80V; I_B=0

V_CB=40V; I_E=0

V_CB=60V; I_E=0

V_CB=80V; I_E=0

I_CBO

Collector cut-off current

V_CE=40V; V_BE(off)=1.5V

T_C=125℃

V_CE=60V; V_BE(off)=1.5V

T_C=125℃

V_CE=80V; V_BE(off)=1.5V

T_C=125℃

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

I_CEX

I_EBO

h_FE-1

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=5V; I_C=0

1.0

100

2N5190

2N5191

2N5192

2N5190

2N5191

2N5192

I_C=1.5A ; V_CE=2V

h_FE-2

DC current gain

I_C=4A ; V_CE=2V

f_T

Transition frequency

I_C=1A ; V_CE=10V;f=1MHz

MHz

JMnic

123

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