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2N5157

更新时间： 2024-01-14 14:08:19

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3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5157 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.31	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2.8 MHz

2N5157 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5157

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter sustaining voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=0.1A ; I_B=0

500

I_C=3A; I_B=0.5A

1.2

1.5

V_CB=700V; I_E=0

T_C=125℃

0.2

2.0

I_CEO

V_CE=500V; I_B=0

5.0

1.0

I_EBO

V_EB=7V; I_C=0

h_FE

DC current gain

I_C=1A ; V_CE=5V

f_T

Transition frequency

I_C=1A ; V_CE=10V;f=5.0MHz

2.8

MHz

123

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