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2N5160

更新时间: 2024-01-29 18:19:54
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NJSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 192K
描述
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

2N5160 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TO-39, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.4 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):500 MHz
Base Number Matches:1

2N5160 数据手册

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