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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N508 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 10V 0.02A 4-Pin TO-72 |
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| 2N5081 | NJSEMI |
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N.P.N SILICON HIGH FREQUENCY |
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| 2N5083 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA |
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| 2N5084 | ETC |
获取价格 |
COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
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| 2N5085 | ETC |
获取价格 |
COLLECTOR CURRENT = 10 AMPS NPN TYPES |
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| 2N5086 | SAMSUNG |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5086 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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| 2N5086 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
| 2N5086 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
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| 2N5086 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP LO-PWR BJT |
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