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2N4899X

更新时间： 2024-02-16 15:37:39

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2页	18K
描述
PNP EPITAXIAL BASE MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2N4899X 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz

2N4899X 数据手册

2N4898X

2N4899X

2N4900X

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

PNP EPITAXIAL BASE

MEDIUM POWER

TRANSISTOR

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

(0.145) rad.

3.61 (0.142)

3.86 (0.145)

max.

rad.

APPLICATIONS

Medium power, low frequency PNP

bipolar transistor in a hermetically

sealed TO–66 metal package.

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

TO–66 Metal Package.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise stated)

2N4898X 2N4899X 2N4900X

case

Collector – Base Breakdown Voltage

Collector – Emitter Breakdown Voltage

Emitter – Base Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Base Current

–40V

–60V

–80V

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

–5V

–4A

–1A

Total Power Dissipation

25W

Operating Case Temperature Range

Storage Temperature Range

Thermal Resistance , Junction To Case

–65 to +200°C

7.0°C/W

stg

θJC

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 9/96

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