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2N4900X

更新时间： 2024-01-19 23:30:35

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2页	18K
描述
PNP EPITAXIAL BASE MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2N4900X 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N4900X 数据手册

2N4898X

2N4899X

2N4900X

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

PNP EPITAXIAL BASE

MEDIUM POWER

TRANSISTOR

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

(0.145) rad.

3.61 (0.142)

3.86 (0.145)

max.

rad.

APPLICATIONS

Medium power, low frequency PNP

bipolar transistor in a hermetically

sealed TO–66 metal package.

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

TO–66 Metal Package.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise stated)

2N4898X 2N4899X 2N4900X

case

Collector – Base Breakdown Voltage

Collector – Emitter Breakdown Voltage

Emitter – Base Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Base Current

–40V

–60V

–80V

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

–5V

–4A

–1A

Total Power Dissipation

25W

Operating Case Temperature Range

Storage Temperature Range

Thermal Resistance , Junction To Case

–65 to +200°C

7.0°C/W

stg

θJC

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 9/96

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