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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.9 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 87.5 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N4901_12 | COMSET | PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE |
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| 2N4901LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N4901SMD | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed |
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| 2N4902 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(5.0A,87.5W) |
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| 2N4902 | BOCA | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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| 2N4902 | NJSEMI | PNP POWER TRANSISTORS |
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