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2N4857UB

更新时间： 2024-11-20 19:43:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-3

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2N4857UB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.22
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏源导通电阻：40 ΩFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：8 pFJESD-30 代码：R-CDSO-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N4857UB 数据手册

 浏览型号2N4857UB的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
N-CHANNEL J-FET  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 385  
Devices  
Qualified  
Level  
JAN  
2N4861  
2N4856  
2N4857  
2N4858  
2N4859  
2N4860  
JANTX  
2N4856UB 2N4857UB 2N4858UB 2N4859UB 2N4860UB 2N4861UB  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +250C unless otherwise noted)  
2N4856 2N4859  
Parameters / Test Conditions  
Symbol 2N4857 2N4860 Unit  
2N4858 2N4861  
Gate-Source Voltage  
VGS  
VDS  
VDG  
IG  
-40  
40  
40  
-30  
30  
30  
V
V
V
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate Current  
TO-18*  
(TO-206AA)  
50  
mA  
Power Dissipation  
TA = +250C (1)  
TC = +250C(2)  
PT  
0.36  
1.8  
-65 to +200  
W
W
0C  
Surface Mount  
(UB version)  
Operating Junction & Storage Temperature Range  
(1) Derate linearly 2.06 mW/0C for TA > 250C.  
(2) Derate linearly 10.3 mW/0C for TC > 250C.  
Tj, Tstg  
*See appendix A  
for package  
outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Units  
Gate-Source Breakdown Voltage  
VDS = 0, IG = 1.0 mAdc  
2N4856, 2N4857, 2N4858  
2N4859, 2N4860, 2N4861  
V
(BR)GSS  
-40  
-30  
Vdc  
Gate-Source “Off” State Voltage  
VDS = 15 Vdc, ID = 0.5 hAdc  
2N4856, 2N4859  
2N4857, 2N4860  
2N4858, 2N4861  
-4.0  
-2.0  
-0.8  
-10  
-6.0  
-4.0  
VGS(on)  
Vdc  
Gate Reverse Current  
VDS = 0, VGS = -20 Vdc  
VDS = 0, VGS = -15 Vdc  
Drain Current  
2N4856, 2N4857, 2N4858  
2N4859, 2N4860, 2N4861  
IGSS  
-0.25  
-0.25  
hA  
hA  
ID(off)  
0.25  
VGS = -10 Vds, VDS = 15 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
022802  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

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2N4857UB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N4857UB MICROSEMI

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 Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4857UBE3 MICROSEMI

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