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2N4859

更新时间: 2024-11-19 14:51:35
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
3页 605K
描述
4V,10V,50mA,1.8W Through-Hole JFET N Channel

2N4859 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.03配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏源导通电阻:25 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):8 pF
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:0.36 W
最大功率耗散 (Abs):0.36 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N4859 数据手册

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2N4859  
2N4859A  
www.centralsemi.com  
N-CHANNEL  
SILICON JFET  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4859 and  
2N4859A are N-Channel silicon JFETs designed for  
analog switching and chopper applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-18 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
30  
DS  
Drain-Gate Voltage  
V
30  
30  
V
V
DG  
Reverse Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
GSR  
I
50  
mA  
mW  
°C  
GF  
Power Dissipation (T =25°C)  
A
Operating and Storage Junction Temperature  
P
360  
D
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
=15V, V =0  
0.25  
nA  
GSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
=15V, V =0, T =150°C  
DS  
0.5  
μA  
mA  
nA  
μA  
V
GSS  
A
=15V, V =0  
50  
DSS  
GS  
=15V, V =10V  
GS  
0.25  
0.5  
D(OFF)  
D(OFF)  
=15V, V =10V, T =150°C  
GS  
A
BV  
I =1.0μA, V =0  
30  
GSS  
G
DS  
V
V
V
=15V, I =0.5nA  
4.0  
10  
0.75  
25  
V
GS(OFF)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS  
D
I =20mA, V =0  
V
D
GS  
=0, I =0, f=1.0kHz  
r
V
Ω
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
D
C
C
C
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4859)  
8.0  
4.0  
18  
pF  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
rss  
rss  
iss  
iss  
DS  
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4859A)  
DS  
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4859)  
DS  
=10V, V =0, f=1.0MHz (2N4859A)  
DS  
10  
t
t
t
t
t
=10V, V  
=10V, V  
=10V, V  
=10V, V  
=10V, V  
=10V, I =20mA (2N4859)  
6.0  
5.0  
3.0  
25  
d
GS(OFF)  
GS(OFF)  
GS(OFF)  
GS(OFF)  
GS(OFF)  
D
=10V, I =20mA (2N4859A)  
d
D
=10V, I =20mA  
r
D
=10V, I =20mA (2N4859)  
off  
off  
D
=10V, I =20mA (2N4859A)  
20  
D
R0 (11-June 2012)  

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