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2N4402TA

更新时间： 2024-01-09 20:02:06
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 878K
描述
600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N4402TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.06
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns

2N4402TA 数据手册

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PNP General Purpose Amplifier  
(continued)  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Emitter Breakdown Voltage* IC = 1.0 mA, IB = 0  
40  
40  
V
V
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IC = 100 µA, IE = 0  
5.0  
V
IE = 100 µA, IC = 0  
VCE = 35 V, VEB = 0.4 V  
VCE = 35 V, VEB = 0.4 V  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
IBL  
Base Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS*  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 1.0 V, IC = 1.0 mA  
30  
50  
50  
20  
VCE = 1.0 V, IC = 10 mA  
VCE = 2.0 V, IC = 150 mA  
VCE = 2.0 V, IC = 500 mA  
IC = 150 mA, IB = 15 mA  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
IC = 150 mA, IB = 15 mA  
IC = 500 mA, IB = 50 mA  
150  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
0.40  
0.75  
0.95  
1.30  
V
V
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.75  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
VCB = 10 V, f = 140 kHz  
VEB = 0.5 V, f = 140 kHz  
8.5  
30  
pF  
pF  
Cob  
Cib  
hfe  
Input Capacitance  
Small-Signal Current Gain  
IC = 20 mA, VCE = 10 V,  
f = 100 MHz  
1.5  
Small-Signal Current Gain  
Input Impedance  
IC = 1.0 mA, VCE = 10 V,  
30  
0.75  
0.10  
1.0  
250  
7.5  
8.0  
100  
hfe  
f = 1.0 kHz  
kΩ  
x10-4  
h
ie  
Voltage Feedback Ratio  
Output Admittance  
hre  
µmhos  
hoe  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
VCC = 30 V, IC =150 mA,  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
td  
tr  
IB1 = 15 mA, VBE ( off ) = 2.0 V  
VCC = 30 V, IC =150 mA,  
IB1 = IB2 = 15 mA  
225  
30  
ts  
tf  
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
1234567...11

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