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2N4403

更新时间： 2024-01-25 10:09:45

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管开关
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1页	66K
描述
Plastic-Encapsulated Transistors

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2N4403 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	8.5 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
VCEsat-Max：	0.75 V	Base Number Matches：	1

2N4403 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

2N4403

TRANSISTOR (PNP)

TO—92

FEATURES

Power dissipation

P_CM

Collector current

I_CM

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -40

0.625 W (Tamb=25℃)

1.EMILTTER

2.BASE

-0.6

3. COLLECTOR

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-100µA , I_E=0

I_C= -1mA , I_B=0

I_E=-100µA, I_C=0

V_CB=-35 V, I_E=0

V_CE=-35 V, I_B=0

V_EB=-4V, I_C=0

MIN

MAX

UNIT

Parameter

-40

-5

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-0.1

µA

I_CEO

Collector cut-off current

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE(1)

DC current gain

_CE=-2 V, I_C=- 150mA

100

200

300

-0.4

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C=-150 mA, I_B=-15mA

I_C= -150 mA, I_B=-15mA

Collector-emitter saturation voltage

-0.95

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= -10V, I_C= -20mA

MHz

f _T

f = 100MHz

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