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2N4403

更新时间： 2024-02-08 08:37:22
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 726K
描述
PNP Transistor Plastic-Encapsulate Transistors

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2N4403 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：8.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

2N4403 数据手册

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2N4403  
PNP Transistor  
Elektronische Bauelemente  
Plastic-Encapsulate Transistors  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
TO-92  
4.55±0.2  
3.5 0.2  
FEATURES  
Power Dissipation  
oC  
MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-40  
Units  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-40  
V
V
-5  
+0.08  
–0.07  
0.43  
46+0.1  
Collector Current -Continuous  
Collector Power dissipation  
Junction Temperature  
-600  
mA  
W
oC  
oC  
oC/mW  
0.  
–0.1  
PC *  
TJ  
0.625  
150  
(1.27 Typ.)  
1: Emitter  
2: Base  
3: Collector  
1.25+–00..22  
Storage Temperature  
Tstg  
-55to +150  
357  
1
2 3  
Thermal Resistance, junction to Ambient  
R
JA  
θ
2.54 0.1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25o  
unless otherwise specified)  
C
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO IC=-100µA,IE=0  
V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-100µA,IC=0  
-40  
-40  
-6  
V
V
V
ICBO  
IEBO  
VCB=-35V,IE=0  
-100  
-100  
nA  
nA  
Emitter cut-off current  
VEB=-5V,IC=0  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE=-1V,IC=-0.1mA  
VCE=-1V,IC=-1mA  
VCE=-1V,IC=-10mA  
VCE=-1V,IC=-150mA  
VCE=-2V,IC=-500mA  
30  
60  
DC current gain  
100  
100  
20  
300  
VCE(sat)1 IC=-150mA,IB=-15mA  
VCE(sat)2 IC=-500mA,IB=-50mA  
VBE(sat)1 IC=-150mA,IB=-15mA  
VBE(sat)2 IC=-500mA,IB=-50mA  
-0.4  
-0.75  
-0.95  
-1.3  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
-0.75  
V
V
Transition frequency  
Collector capacitance  
Delay time  
fT  
Cob  
td  
VCE=-10V,IC=-20mA,f=100MHz  
VCB=-10V,IE=0,f=100KHz  
MHz  
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
200  
8.5  
15  
Rise time  
tr  
20  
VCC=-30V, IC=-150mA  
Storage time  
Fall time  
tS  
225  
30  
IB1=- IB2=-15mA  
tf  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changing of specification will not be informed individual  
Page 1 of 3  
01-Jun-2002 Rev. A  
123

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